筆試題（電路方面）
一.選擇題
1.降低NMOS的開啟電壓VT的方法，哪種無效?
A.減少襯底的P型摻雜濃度
B.減少氧化層厚度
C.增加源漏極的N型摻雜濃度
D.減少溝道長(zhǎng)度
2.IO PAD 的設(shè)計(jì)，一般不常考慮的因素
A.ESD特性
B.驅(qū)動(dòng)能力
C.施密特觸發(fā)器
D.襯偏效應(yīng)
3.邏輯電路低功耗設(shè)計(jì)中，無效的方法
A.采用慢速設(shè)計(jì)
B.減少信號(hào)翻轉(zhuǎn)
C.減少IC面積
D.采用較慢速的'時(shí)鐘。
二.問答題
1.寫出序列探測(cè)器“11000”的RTL代碼。
2.分析一個(gè)CMOS電路的邏輯功能(同或門)。
3.分析一鯟MOS電路的邏輯功能(三態(tài)門)。
4.畫出全加器的CMOS電路，說明延時(shí)的估算方法。
5.A,B為兩個(gè)時(shí)鐘，頻率差最小為1/8。如果A的頻率高，C="0";否則C="1";編程實(shí)現(xiàn)。
6.編程實(shí)現(xiàn)FIR濾波器，系數(shù)為C0,C1,C2,C3,C2,C1,C0。輸入DI，輸出DO。系數(shù)和DI均為8比特。
7.一個(gè)圓盤，一半黑，一半白。有兩個(gè)探測(cè)器，用1表示白，0表示黑。設(shè)計(jì)一個(gè)電路，可以探測(cè)出圓盤是順時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)還是逆時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)。
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