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等離子體輔助電子束蒸發(fā)沉積TiN薄膜
全部作者： 張茂平 陳俊芳 史磊 符斯列 賴秀瓊 黃孟祥 張洪賓 第1作者單位： 華南師范大學(xué)物電學(xué)院 論文摘要： 利用朗繆爾靜電雙探針診斷了電子束蒸發(fā)鍍膜裝置反應(yīng)室等離子體密度，分析了其分布規(guī)律，討論了氣壓和射頻功率對(duì)其的影響，獲得了優(yōu)化的等離子體工藝條件. 采用TCP等離子體輔助電子束蒸發(fā)沉積技術(shù)，在室溫條件下玻璃基片上制備了納米結(jié)構(gòu)的氮化鈦薄膜. 運(yùn)用X射線衍射儀和臺(tái)階儀對(duì)該薄膜進(jìn)行表征.結(jié)果表明：反應(yīng)室內(nèi)靠近離子源的等離子體密度大且分布不均勻，遠(yuǎn)離離子源的等離子體的密度小且趨于均勻;薄膜沉積速率高達(dá)47nm/min,TiN薄膜呈晶態(tài)且具有（111）擇優(yōu)取向. 關(guān)鍵詞： 朗繆爾靜電雙探針；電子束蒸發(fā)鍍膜；TiN薄膜 (瀏覽全文) 發(fā)表日期： 2006年09月22日 同行評(píng)議：
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綜合評(píng)價(jià)： （暫時(shí)沒有） 修改稿：【等離子體輔助電子束蒸發(fā)沉積TiN薄膜】相關(guān)文章：
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